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雙靶磁控濺射儀的原理及應(yīng)用場(chǎng)景如下

更新時(shí)間:2026-01-14      點(diǎn)擊次數(shù):174
  雙靶磁控濺射儀是一種物理氣相沉積設(shè)備,主要用于在真空環(huán)境中通過磁控濺射技術(shù)將兩種不同的材料靶材(如金屬、合金或化合物)濺射成原子或分子,并沉積到基片表面形成薄膜。‌
 
  ‌其核心原理是利用電場(chǎng)和磁場(chǎng)的共同作用:‌ 電子在電場(chǎng)加速下與工作氣體(如氬氣)碰撞電離,產(chǎn)生的離子轟擊靶材表面,使靶材原子被濺射出來并沉積成膜;磁場(chǎng)則約束電子運(yùn)動(dòng)軌跡,提高電離效率并降低基片溫度,從而實(shí)現(xiàn)高速、低溫的薄膜生長。‌
 
  ‌雙靶設(shè)計(jì)賦予設(shè)備明顯優(yōu)勢(shì):‌ 兩個(gè)獨(dú)立靶位可同時(shí)或交替工作,通過調(diào)節(jié)功率比例準(zhǔn)確控制成分,實(shí)現(xiàn)合金、復(fù)合膜或多層結(jié)構(gòu)的制備,例如共濺射生成氧化銦錫等功能薄膜。‌
 
  雙靶設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)
 
  成分可調(diào)性:可同時(shí)安裝兩種不同靶材,通過調(diào)節(jié)功率分配,實(shí)現(xiàn)合金膜或復(fù)合膜的成分準(zhǔn)確控制。
 
  多層膜制備:通過交替濺射不同靶材,結(jié)合擋板控制沉積順序,可制備具有特定界面結(jié)構(gòu)的多層膜體系。
 
  工藝靈活性:支持共濺射、反應(yīng)濺射等多種模式,適應(yīng)不同材料體系的制備需求。
 
  應(yīng)用場(chǎng)景
 
  微電子與半導(dǎo)體:沉積金屬電極(如鋁、銅)、擴(kuò)散阻擋層(如氮化鉭)及功能薄膜。
 
  材料表面工程:制備耐磨涂層(如氮化鈦、類金剛石薄膜),提升刀具、模具表面硬度。
 
  新材料研發(fā):探索新型合金、磁性材料、超導(dǎo)材料等,研究薄膜的電學(xué)、磁學(xué)性能。
 
  納米技術(shù):制備納米厚度多層膜,研究超晶格、量子阱等低維結(jié)構(gòu)特性。
 
  操作要點(diǎn)
 
  設(shè)備檢查:確保真空密封性良好,冷卻水路通暢。
 
  裝樣布置:合理布置基片位置,保證膜厚均勻性。
 
  靶材安裝:表面清潔平整,與背板接觸良好,確保冷卻和導(dǎo)電效果。
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